Объем: 0.24 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 450 Мб/с. Скорость последовательной записи: 320 Мб/с
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч. Толщина: 7 мм
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: M.2 (NVMe 1.3). Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч. Толщина: 3.5 мм
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: M.2 (NVMe 1.3). Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 210 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 315 000 IOps
Объем: 0.256 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 165 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 265 000 IOps
Объем: 0.48 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 450 Мб/с. Скорость последовательной записи: 320 Мб/с
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч. Толщина: 7 мм
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2 (NVMe 1.3). Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Время наработки на отказ (МТBF): 1600000 ч. Толщина: 3.5 мм
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2 (NVMe 1.4). Интерфейс: PCI Express 4.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 410 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 600 000 IOps
Объем: 0.500 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 150 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 300 000 IOps
Объем: 0.96 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 450 Мб/с. Скорость последовательной записи: 320 Мб/с
Объем: 1 Тб. Форм-фактор: mSATA. Интерфейс: mSATA. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Подсветка: нет. Радиатор охлаждения: нет
Объем: 1.92 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 450 Мб/с. Скорость последовательной записи: 320 Мб/с
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (NVMe 1.3). Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 700 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 680 000 IOps
Объем: 2 Тб. Форм-фактор: M.2 (NVMe 1.3). Интерфейс: PCI Express 3.0 x4. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 700 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 680 000 IOps
Объем: 0.48 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4. Средняя скорость случайного чтения: 85 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 36 000 IOps. Подсветка: нет. Радиатор охлаждения: нет
Объем: 1.92 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3a). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 270 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 20 000 IOps
Объем: 0.96 Тб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4). Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Средняя скорость случайного чтения: 520 000 IOps. Средняя скорость случайной записи: 82 000 IOps
Объем: 3.84 Тб. Форм-фактор: 2.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Аппаратное шифрование: нет. Скорость последовательного чтения: 540 Мб/с. Скорость последовательной записи: 520 Мб/с
Объем: 3.84 Тб. Форм-фактор: 3.5". Интерфейс: SATA 3.0. Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND. Время наработки на отказ (МТBF): 2000000 ч. Подсветка: нет. Радиатор охлаждения: нет